20 августа 2003  PSiRAM: быстрая псевдостатическая память от Tezzaron

Tezzaron Semiconductor сообщила на днях о разработке технологии создания псевдостатической памяти, названной ею PSiRAM, по 90-нм технологическим нормам. Как утверждается, прототип PSiRAM обладает латентностью 1,3 нс, длительностью цикла 1 нс и пропускной способностью 2 Гбит/с на вывод. Каждая индивидуальная ячейка памяти, созданная по 90-нм нормам, имеет площадь 0,59 кв. мкм. Tezzaron планирует лицензировать технологию PSiRAM для применения в системах-на-чипе (SoC).

Запоминающие ячейки построены на трех транзисторах, отслеживающих изменение электрического тока, а не напряжения. PSiRAM требует обновления своих состояний, но при этом состояние запоминающих ячеек не уничтожается, что и позволило назвать ее псеводстатической.

Компания планирует выпустить два вида PSiRAM: в первом обновление состояний будет происходить автономно самим чипом, и для внешнего мира чип будет выглядеть как обычная SRAM, во втором – обновление будет происходить так же, как и для DRAM. DRAM-версия будет работать быстрее (у SRAM-версии латентность составит 1,8 нс вместо 1,3 нс).

Прототип PSiRAM (показан на фото) обладает емкостью 32 Мбит (2 Мбит Х 16), напряжение питания – 1,2 В — 0,8 В, работает при тактовых частотах до 400 МГц и потребляет не более 0,125 Вт.

Начало производства намечено на начало следующего года. Сперва на рынок будет выпущена 0,13-мкм версия, затем – 90-нм.